一种解决单层陶瓷电容器划片后毛刺问题的工艺
基本信息
| 申请号 | 202010975030X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112259377A | 公开（公告）日 | 2021-01-22 |
| 申请公布号 | CN112259377A | 申请公布日 | 2021-01-22 |
| 分类号 | H01G4/12(2006.01)I;H01G13/00(2013.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘云志;杨国兴;吴继伟 | 申请（专利权）人 | 大连达利凯普科技股份公司 |
| 代理机构 | 大连智高专利事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 毕进 |
| 地址 | 116630辽宁省大连市经济技术开发区光明西街10号1-4层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种解决单层陶瓷电容器划片后毛刺问题的工艺，属于单层陶瓷电容器制造领域。方案如下：采用磁控溅射加工工艺，在瓷片表面形成一组导电且具有结合力的多层金属层；在产品表面均匀涂一层胶层做保护；使用掩膜板进行图形曝光，使切割道区域受光，发生化学反应；受光位置在显影液里发生化学反应，使其脱落，形成图形；在没有受光位置的基片表面进行电镀金，使其厚度达到2.5um以上；去掉切割道表层的保护胶；用刀片进行切割加工，整个切割道是在刀片路径内。有益效果：本发明通过更改工艺路线，增加光刻工艺，产生的毛刺极小，完全可以被接受，不影响产品性能，满足行业里对毛刺得控制标准，不影响产品电性能，极大地提升了SG产品的合格率。 |
