一种提高单层电容器键合强度的制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN202010972975.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111952267A | 公开（公告）日 | 2020-11-17 |
| 申请公布号 | CN111952267A | 申请公布日 | 2020-11-17 |
| 分类号 | H01L23/48;H01L23/64;H01G13/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 关秋云;吴继伟;杨国兴 | 申请（专利权）人 | 大连达利凯普科技股份公司 |
| 代理机构 | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) | 代理人 | 毕进 |
| 地址 | 116630 辽宁省大连市经济技术开发区光明西街10号1-4层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于电子元器件生产技术领域，公开了一种提高单层电容器键合强度的制造工艺。通过调整陶瓷基片粗糙度、基片清洗方式，调整溅射工艺，并在溅射金属电极后增加一次退火，即采用两次退火工艺。将单层电容器的键合强度提高至12.98gf，解决了键合点脱落问题。 |
