一种抑制玻璃成分析出并改善镀层结合力的烧结工艺
基本信息
| 申请号 | CN202010975004.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111952075A | 公开（公告）日 | 2020-11-17 |
| 申请公布号 | CN111952075A | 申请公布日 | 2020-11-17 |
| 分类号 | H01G4/008;H01G4/12;H01G4/30;H01G13/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李晓霞;吴继伟;杨国兴 | 申请（专利权）人 | 大连达利凯普科技股份公司 |
| 代理机构 | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) | 代理人 | 毕进 |
| 地址 | 116630 辽宁省大连市经济技术开发区光明西街10号1-4层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于多层陶瓷电容器制造工艺的领域，公开了一种抑制玻璃成分析出并改善镀层结合力的烧结工艺。本发明通过在外部电极与陶瓷基体之间的界面形成可储存玻璃成分的玻璃贮存部，通过调整内外电极的烧结温度曲线及烧结时间，制备得到多层瓷介电容器。通过本发明提供的烧结工艺，可适量抑制因内外电极烧结后，外部电极表面析出玻璃成分，从而改善镀覆层结合力，又不影响多层瓷介电容器的其它性能。 |
