一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装及制造工艺专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装及制造工艺

基本信息

申请号	CN202010974977.9	申请日	-
公开（公告）号	CN111958482A	公开（公告）日	2020-11-20
申请公布号	CN111958482A	申请公布日	2020-11-20
分类号	B24B37/28;B24B37/30;B24B1/00;H01G13/00;H01G4/12	分类	磨削；抛光;
发明人	刘溪笔;刘云志;杨国兴;吴继伟	申请（专利权）人	大连达利凯普科技股份公司
代理机构	大连智高专利事务所(特殊普通合伙)	代理人	毕进
地址	116630 辽宁省大连市经济技术开发区光明西街10号1-4层
法律状态	-

摘要

一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装及制造工艺，属于单层陶瓷电容器制造领域。技术方案：采用一次性树脂游轮工装对产品进行预处理，使基片从0受力到全面受力均匀逐步进行，将烧结后基片表面的杂质、凹坑、凸起去除，使产品平整厚度一致；正面减薄：采用减薄机与专用吸真空工装匹配对基片正面进行减薄；正面研磨：通过专用吸真空工装匹配，采用单面研磨机对基片正面进行研磨；正面抛光：通过专用吸真空工装匹配，采用单面抛光机对基片正面进行抛光；同理进行反面减薄、研磨、抛光。有益效果：本发明解决了现有工艺的极限厚度、精度、碎片率、外观不良等问题，完全可以满足100um厚度电容器所需基片要求，实现了超薄单层陶瓷电容器的制造。