鳍式场效应晶体管的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201711325799.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108054100A | 公开（公告）日 | 2021-06-11 |
| 申请公布号 | CN108054100A | 申请公布日 | 2021-06-11 |
| 分类号 | H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 深圳迈辽技术转移中心有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市兰锋知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹明兰 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市龙华新区大浪街道龙胜社区腾龙路淘金地电子商务孵化基地展滔商业广场E座706 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管的制作方法，包括：提供SOI基底，并在所述SOI基底形成台阶部；基于所述SOI基底的台阶部形成高度不同的鳍部；在所述鳍部表面形成栅介质层，并在所述栅介质层表面形成栅极；采用倾斜角度注入的方式分别对所述鳍部两侧进行离子注入，以在所述鳍部形成源区和漏区。本发明提供的鳍式场效应晶体管的制作方法可以解决相邻鳍式场效应晶体管的鳍部的阴影效应。 |
