鳍式场效应晶体管的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201711325799.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108054100B | 公开（公告）日 | 2021-06-11 |
| 申请公布号 | CN108054100B | 申请公布日 | 2021-06-11 |
| 分类号 | H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 深圳迈辽技术转移中心有限公司 |
| 代理机构 | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李明香 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区琼宇路2号特发信息科技大厦15楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管的制作方法，包括：提供SOI基底，并在所述SOI基底形成台阶部；基于所述SOI基底的台阶部形成高度不同的鳍部；在所述鳍部表面形成栅介质层，并在所述栅介质层表面形成栅极；采用倾斜角度注入的方式分别对所述鳍部两侧进行离子注入，以在所述鳍部形成源区和漏区。本发明提供的鳍式场效应晶体管的制作方法可以解决相邻鳍式场效应晶体管的鳍部的阴影效应。 |
