首页/ 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司/ 专利详情

用于铸造单晶硅的籽晶铺设方法、单晶硅锭及其铸造方法

基本信息

申请号 CN202010354039.9 申请日 -
公开（公告）号 CN113564695A 公开（公告）日 2021-10-29
申请公布号 CN113564695A 申请公布日 2021-10-29
分类号 C30B15/36（2006.01）I;C30B15/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 雷琦;何亮;李建敏;程小娟;邹贵付;甘胜泉;陈仙辉 申请（专利权）人 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
代理机构 广州三环专利商标代理有限公司 代理人 熊永强
地址 338000江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种铸造单晶硅的籽晶铺设方法，包括：提供坩埚，在所述坩埚底部间隔铺设上下表面平整的垫片，形成垫片层；在所述垫片层上铺设至少一个支撑片，以形成覆盖所述垫片及其之间空隙的支撑片层；依次交替设置所述垫片层和支撑片层，以形成（AB）n排布形式的架空结构，其中，A为垫片层，B为支撑片层，n为大于或等于1的整数；在所述架空结构上铺设单晶硅籽晶，形成籽晶层。通过在籽晶层上设置价格便宜的架空结构，可以减少所用籽晶的数量、降低单晶硅的铸造成本，并降低所得单晶硅锭的尾部红区。本发明还提供了一种单晶硅锭及其铸造方法。