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一种晶体硅晶向的测定方法和应用

基本信息

申请号 CN202010775404.3 申请日 -
公开（公告）号 CN112098406A 公开（公告）日 2020-12-18
申请公布号 CN112098406A 申请公布日 2020-12-18
分类号 G01N21/84 分类 测量；测试;
发明人 李建敏;刘华;简学勇;付红平;雷琦;何亮;程小娟;邹贵付;甘胜泉 申请（专利权）人 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
代理机构 广州三环专利商标代理有限公司 代理人 熊永强
地址 338000 江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请实施例提供了一种晶体硅晶向的测定方法，包括以下步骤：取待测晶体硅片，将所待测晶体硅片至少包括一对相对设置的第一表面和第二表面；对所述第一表面进行腐蚀处理，清洗、干燥后，转移至平台上，使第二表面贴于所述平台上，设置光源以将所述干燥后的第一表面暴露在同一光照强度下，拍摄所述第一表面的图像，经图像处理得到所述图像的灰度值数据；将所述图像的灰度值数据与标准晶向对照表的标准灰度值数据进行比对，以测定所述待测晶体硅片的第一表面的晶向；所述标准晶向对照表包含多种不同标准晶向的图像的灰度值数据。该晶体硅晶向的测定方法能够快速、有效地测定晶向，提高检测效率，减少检测成本。本申请还提供了该测定方法的应用。