籽晶铺设方法、铸锭单晶硅的生产方法和铸锭单晶硅
基本信息
| 申请号 | CN202010872732.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112126972A | 公开（公告）日 | 2020-12-25 |
| 申请公布号 | CN112126972A | 申请公布日 | 2020-12-25 |
| 分类号 | C30B11/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 何亮;罗鸿志;雷奇;毛伟;周成;徐云飞;李建敏;程小娟;邹贵付;甘胜泉;陈仙辉 | 申请（专利权）人 | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 熊永强 |
| 地址 | 338000江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例提供了一种籽晶铺设方法，包括：提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设籽晶层，其中，籽晶层由多个第一籽晶和多个第二籽晶间隔拼接形成，任意相邻两个所述第一籽晶之间设有一个所述第二籽晶，任意相邻两个所述第二籽晶之间设有一个所述第一籽晶，所述第一籽晶和所述第二籽晶的生长面晶向相同，侧面晶向不同；第一籽晶和所述第二籽晶均为重掺单晶，重掺单晶的掺杂元素包括硼、镓、磷和锗中的至少一种籽晶铺设方法。一种生长高质量铸锭单晶的籽晶制备方法。该籽晶铺设方法中铺设的籽晶层，可以抑制热冲击产生的位错及显著减少引晶过程中产生的位错源，有利于生产位错极低的铸锭单晶硅。本申请还提供了铸锭单晶硅的生产方法和铸锭单晶硅。 |
