一种籽晶铺设方法、类单晶硅锭的制备方法和类单晶硅锭
基本信息
| 申请号 | CN201911051752.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112746321A | 公开（公告）日 | 2021-05-04 |
| 申请公布号 | CN112746321A | 申请公布日 | 2021-05-04 |
| 分类号 | C30B28/06;C30B29/06 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 罗鸿志;何亮;邹贵付 | 申请（专利权）人 | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址 | 338004 江西省新余市高新技术产业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种籽晶铺设方法，包括：提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设籽晶层，所述籽晶层包括由若干块第一籽晶和第二籽晶拼接形成，其中，两两相邻的四块所述第一籽晶拼接的结构中部形成一镂空部，所述第二籽晶填充在所述镂空部内。由所述籽晶铺设方法铺设的籽晶层，在高温阶段能避免相邻籽晶块之间产生挤压应力，有利于减少晶体位错比例，提高硅锭的质量。本发明还提供了一种类单晶硅锭的制备方法和类单晶硅锭。 |
