一种籽晶铺设方法、单晶硅锭的制备方法和单晶硅锭
基本信息
| 申请号 | CN202010156644.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113373503A | 公开（公告）日 | 2021-09-10 |
| 申请公布号 | CN113373503A | 申请公布日 | 2021-09-10 |
| 分类号 | C30B11/14（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 雷琦;何亮;徐云飞;毛伟;李建敏;邹贵付;甘胜泉;陈仙辉 | 申请（专利权）人 | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址 | 338004江西省新余市高新技术产业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例提供了一种籽晶铺设方法，用于单晶硅锭的铸造，包括：提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设籽晶层，所述籽晶层由三种籽晶错位拼接形成，每种所述籽晶分别至少包括一块；其中，所述三种籽晶的生长面晶向相同，所述三种籽晶的侧面晶向不同，所述生长面晶向为<001>、<011>或<111>；当所述三种籽晶的其中一种籽晶包括多块时，多块所述一种籽晶之间互不接触。由所述籽晶铺设方法铺设的籽晶层，能有利于减少晶体位错比例，提高硅锭的质量。本申请还提供了一种单晶硅锭的制备方法和单晶硅锭。 |
