一种半导体传感器封装及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010296867.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111384077B | 公开（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申请公布号 | CN111384077B | 申请公布日 | 2021-03-16 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 侯红伟 | 申请（专利权）人 | 上海尧凯电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海思牛达专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 丁剑 |
| 地址 | 201900上海市宝山区宝杨路1800号2幢A3662室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体传感器封装及其形成方法，该方法包括以下步骤：一半导体衬底包括多个呈矩阵排列的光电二极管阵列，在所述光电二极管阵列中的每个光电二极管的周围区域形成第一沟槽，并在每个所述光电二极管的正对区域形成第二沟槽，在所述第一沟槽中形成隔离结构，并在所述第二沟槽中填充柔性材料，接着在所述半导体衬底的第二表面上形成减反射层，接着形成光刻胶层，并在对应所述隔离结构的区域形成第三沟槽，进一步刻蚀所述隔离结构以形成与所述第三沟槽贯通的第四沟槽，接着在所述第三沟槽和所述第四沟槽中填充金属材料以形成光隔离结构，接着在所述光隔离结构所围绕的区域中形成滤色器单元，在所述滤色器单元上形成微透镜。 |
