一种制备单晶镍铁氧体薄膜的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110370455.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113235159B | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN113235159B | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C30B29/22（2006.01）I;C30B23/08（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C04B35/28（2006.01）I;C04B35/622（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王悦;薛德胜 | 申请（专利权）人 | 兰州大学 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 730000甘肃省兰州市城关区天水南路222号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种制备单晶镍铁氧体薄膜的方法，包括以下步骤：在室温下，采用镍铁氧体靶材，在单晶基片上通过磁控溅射，制备得到单晶镍铁氧体薄膜。本发明在室温下通过磁控溅射法可以制备得到单晶镍铁氧体薄膜，无需在溅射过程中对基片进行加热或是后续进行热处理，操作简单，可重复性高，应用前景广阔。 |
