一种高密度半导体引线框架
基本信息
| 申请号 | CN202120233561.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213958949U | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN213958949U | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01L23/495（2006.01）I;F21V21/00（2006.01）I;F21Y115/10（2016.01）N | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨春林;王勇 | 申请（专利权）人 | 江西亚中电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 南昌市赣昌知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 靳昙昙 |
| 地址 | 330800江西省宜春市高安市新世纪工业园通城大道26号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种高密度半导体引线框架，包括底座、灯珠框架和镂空边框，所述镂空边框设于灯珠框架外围，其特征在于所述底座上设有上、下两个框架区，所述框架区设有13～16行40～50列呈阵列均布的灯珠框架，同一列两个相邻的灯珠框架中心距设为2.05～2.55mm，同一行两个相邻的灯珠框架中心距设为3.4～4.2mm。本实用新型通过缩短同列和同行两个相邻灯珠框架间距，达到采用传统半导体引线框架同样的尺寸内部能够设置安装1040～1600个灯珠框架，节省了大量成本，大大提高了生产效率；使用时两相邻灯珠之间的间距也就缩短了，提高了LED灯珠光效。 |
