一种MgO/ZnO复合介质保护膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201410131032.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104124123B | 公开（公告）日 | 2016-08-17 |
| 申请公布号 | CN104124123B | 申请公布日 | 2016-08-17 |
| 分类号 | H01J11/40(2012.01)I;H01J9/00(2006.01)I;H01J11/10(2012.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孟瑜;贾小琼;马洋;宋忠孝;李雁淮 | 申请（专利权）人 | 北京泛米科技有限公司 |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 西安交通大学;宁波云涂科技有限公司 |
| 地址 | 710049 陕西省西安市咸宁西路28号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种MgO/ZnO复合介质保护膜及其制备方法，所述复合介质保护膜包括ZnO纳米线，所述ZnO纳米线的表面设置有一层MgO薄膜。由于在基片上设置ZnO籽晶层，并使得ZnO籽晶层生长出ZnO纳米线后，在ZnO纳米线表面沉积MgO薄膜，因此，提高了复合介质保护膜表面的粗糙度，使得复合介质保护膜的二次电子发射系数提高，二次电子发射系数高的介质保护膜能够有效降低显示器的着火电压，进而从一定程度上降低了PDP显示器的功耗和成本，提高器件的寿命，增强显示器件工作电压的稳定性。 |
