一种去除半导体器件制造中的多晶硅残留的方法
基本信息
| 申请号 | 2020101655171 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112289676A | 公开（公告）日 | 2021-01-29 |
| 申请公布号 | CN112289676A | 申请公布日 | 2021-01-29 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈定平 | 申请（专利权）人 | 深圳方正微电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄志云 |
| 地址 | 518000广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种去除半导体器件制造中的多晶硅残留的方法，所述方法包括如下步骤：提供含有多晶硅残留的半导体半成品，对所述半导体半成品进行预刻处理得到第一半导体半成品；其中，所述预刻处理的过程采用HBr和SF6的混合气体进行处理；对所述第一半导体半成品进行主刻处理得到去除多晶硅残留的半导体半成品；其中，所述主刻处理的过程采用Cl2和HBr的混合气体进行处理；该方法有效地解决了多晶硅残留的问题，同时也避免了对半导体半成品多晶硅层形貌造成损伤，适合广泛应用于工业生产。 |
