垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202110269950.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113054030A | 公开（公告）日 | 2021-06-29 |
| 申请公布号 | CN113054030A | 申请公布日 | 2021-06-29 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/16;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马万里 | 申请（专利权）人 | 深圳方正微电子有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 李睿 |
| 地址 | 518172 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制备方法和应用。该垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管包括N型基体，N型基体的一侧设有沟槽，N型基体内设有P‑体区、N+区、碳化硅层、栅氧化层、第一阻挡层和多晶硅层，第一阻挡层在沟槽内围绕沟槽的侧壁设置，碳化硅层自沟槽的槽底向N型基体延伸，栅氧化层设在沟槽的底部，多晶硅层在沟槽内设置于栅氧化层之上，P‑体区围绕沟槽的侧壁且环绕N+区，N+区的表面露出于N型基体的设有沟槽的上表面，其中，N+区的材料是掺杂N型离子的碳化硅，器件在源区和漏极的外延层中引入了碳化硅层，产生了类似应变硅的效应，提升了器件的工作速度。 |
