二极管的金属电极、制备方法和二极管
基本信息
| 申请号 | CN201610475438.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107546120B | 公开（公告）日 | 2021-04-09 |
| 申请公布号 | CN107546120B | 申请公布日 | 2021-04-09 |
| 分类号 | H01L29/43(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/868(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李理;赵圣哲;姜春亮 | 申请（专利权）人 | 深圳方正微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京友联知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址 | 100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种二极管的金属电极、制备方法和二极管，其中，制备方法包括：在完成二极管的半导体功能层的制备后，在所述半导体功能层的正侧形成合金层；对所述合金层进行退火处理，以形成所述半导体功能层和所述合金层之间的金属硅化物层；在形成所述金属硅化物层后，在所述半导体功能层的背侧形成金属层。通过本发明技术方案，减小了少子寿命，减小了反向恢复时间，降低了器件的通态压降。 |
