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一种多晶硅栅极的制造方法及多晶硅栅极

基本信息

申请号 CN201610361902.7 申请日 -
公开（公告）号 CN107437500B 公开（公告）日 2021-04-09
申请公布号 CN107437500B 申请公布日 2021-04-09
分类号 H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 马万里 申请（专利权）人 深圳方正微电子有限公司
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人 许静;安利霞
地址 100871北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦808室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种多晶硅栅极的制造方法及多晶硅栅极，其中，多晶硅栅极的制造方法包括：在衬底上依次生成栅氧化层、多晶硅层和氮化硅层；对所述氮化硅层和所述多晶硅层进行光刻和刻蚀，且所述多晶硅层上被刻蚀的位置保留预设厚度的余量；对外露的所述多晶硅层进行氧化，得到氧化层；去除所述氮化硅层，并在露出的所述多晶硅层上生成硅化物，形成多晶硅栅极。本发明提供的方案通过在刻蚀多晶硅时保留一定的余量，然后通过氧化将其转化为二氧化硅(氧化层)，能够保证多晶硅层下方任何位置处的栅氧化层都不会被损伤到，简化了制作工艺；同时保留了完整的栅氧化层，不会存在交界，提高了器件性能。