一种高性能锆钛酸铅压电薄膜底电极的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910430895.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110112285A | 公开（公告）日 | 2019-08-09 |
| 申请公布号 | CN110112285A | 申请公布日 | 2019-08-09 |
| 分类号 | H01L41/37 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 韩梅;王兴;王富安;王力成 | 申请（专利权）人 | 大连思普乐信息材料有限公司 |
| 代理机构 | 大连理工大学专利中心 | 代理人 | 大连瑞林数字印刷技术有限公司;大连思普乐信息材料有限公司 |
| 地址 | 116085 辽宁省大连市高新区广贤路131号4-410 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种高性能锆钛酸铅压电薄膜底电极的制备方法，属于薄膜压电材料制备领域。制备步骤包括：1)在SiO2/Si衬底上磁控溅射制备得到Pt‑Ti/Ti/SiO2/Si底电极材料；2)以乙酸铅、硝酸锆和钛酸四丁酯为原料，乙酰丙酮和甲酰胺为稳定剂，乙二醇甲醚为溶剂，制备化学式为Pb(ZryTi1‑y)O3的锆钛酸铅前驱体溶液；3)将锆钛酸铅前驱体溶液分别沉积在Pt‑Ti/Ti/SiO2/Si和Pt/Ti/SiO2/Si底电极上，并进行热处理，重复沉积和热处理步骤若干次后得到(100)择优取向的锆钛酸铅压电薄膜。本发明的制备方法能够制得(100)择优取向度高的锆钛酸铅压电薄膜。 |
