多晶硅铸锭坩埚喷涂免烧结方法
基本信息
申请号 | CN201110281457.0 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN102367572B | 公开(公告)日 | 2014-01-01 |
申请公布号 | CN102367572B | 申请公布日 | 2014-01-01 |
分类号 | C23C20/08(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)N;C30B29/06(2006.01)N | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 熊涛涛;马良;印亚峰;刘瑞柱;王俊涛 | 申请(专利权)人 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 |
代理机构 | 安阳市智浩专利代理事务所 | 代理人 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司;开封万盛新材料有限公司 |
地址 | 456400 河南省安阳市滑县产业聚集区大三路 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种多晶硅铸锭坩埚喷涂免烧结方法,涉及太阳能多晶铸锭坩埚喷涂技术领域,包括以下步骤:a.在坩埚内壁上刷一层硅溶胶-凝胶混合物,混合物中,硅溶胶20-100克,硅凝胶500-1200克;涂刷硅溶胶-凝胶后形成一层很薄的玻璃结构层;b.将氮化硅放入纯净水中,按370-420克氮化硅加纯净水1000-1800毫升,搅拌均匀,形成氮化硅悬浮液;c.将氮化硅悬浮液喷涂于硅溶胶-凝胶混合物的玻璃结构层表面。本发明的有益效果是:1.不用烘烤,每埚可省电400度。2.喷涂完立即装料,减少坩埚本身金属杂质渗入硅锭中污染现象,可有效提高硅锭质量。3.节省原烘烤所占用的时间,提高工效。4.不用烘箱,节省设备。 |
