一种硅基OLED微显示器阳极及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202110362257.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113054142A | 公开（公告）日 | 2021-06-29 |
| 申请公布号 | CN113054142A | 申请公布日 | 2021-06-29 |
| 分类号 | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 深圳市芯视佳半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人 | 任晨晨 |
| 地址 | 518109 广东省深圳市龙华区大浪街道新石社区颐丰华创新产业园28号颐丰华大厦903 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种硅基OLED微显示器阳极及其制备方法和应用，在wafer背板依次为：第一层由锆、铬或钛金属制备的薄膜结构；第二层由铝、镁、金或银高反射率金属制备的薄膜结构；第三层由氮化钛、氮化锆、氮化铬或TiAlN氮化物制备的薄膜结构；第四层由ITO、IZO或IVO过渡金属氧化物制备的薄膜结构；第五层由Bi、Cr、Ga、La、Sn、Ta、Ti、W、Mo或Ni等金属制备的薄膜结构。与现有技术相比，本发明阳极具有耐腐蚀性、稳定性和更高的功函数，提高空穴注入能力和器件寿命。 |
