一种新型半导体芯片、制备方法及应用电路
基本信息
| 申请号 | CN202010285140.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111640780A | 公开（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申请公布号 | CN111640780A | 申请公布日 | 2020-09-08 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 孙林弟;王海滨;林旭帆;金东;金燕 | 申请（专利权）人 | 浙江明德微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 杭州天昊专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 浙江明德微电子股份有限公司 |
| 地址 | 312000浙江省绍兴市经济开发区龙山软件园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种新型半导体芯片、制备方法及应用电路，其中一种新型半导体芯片，包括：N型衬底，电阻率为0.2‑0.3Ω/cm；设置在N型衬底两侧的N型扩散层，结深为60～100μm，方块电阻为800～1500Ω/□；设置在N型扩散层中的P型扩散层，扩散结深为25～30μm，方块电阻为40～50Ω/□；在正面的P型扩散层上设置若干个N型扩散层，扩散结深为10～12μm，方块电阻0.6～0.8Ω/□；在围绕外围的N型扩散层上设置SiO2掩蔽层，厚度为2.5～3.0μm；在正面的N型扩散层设置正面金属层，材料为Al‑Ti‑Ni‑Ag，厚度3.5～4.0μm；在背面的N型扩散层设置背面金属层，材料为Al‑Ti‑Ni‑Ag，厚度3.5～4.0μm，由此形成NPNP型半导体结构。 |
