复合MOS管封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202021255134.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212676258U | 公开（公告）日 | 2021-03-09 |
| 申请公布号 | CN212676258U | 申请公布日 | 2021-03-09 |
| 分类号 | H01L25/07(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 罗泽伟;谢晓东;林旭帆;孙林弟 | 申请（专利权）人 | 浙江明德微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 杭州天昊专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 董世博 |
| 地址 | 312000浙江省绍兴市经济开发区龙山软件园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种复合MOS管封装结构，包括封装在一个模组内的场效应管芯片，第二三极管芯片和第三三极管芯片，场效应管芯片的栅极和第二三极管发射极和第三三极管的基极、发射极连接，场效应管的源极与第二三极管的集电极连接并引出至少一个源极管脚，第二二极管的基极和第三三极管的集电极连接引出栅极管脚，金属底板作为漏极管脚与场效应管的漏极连接。 |
