介质阻挡放电协同N型半导体催化剂深度氧化气态污染物的工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110151571.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112915783A | 公开（公告）日 | 2021-06-08 |
| 申请公布号 | CN112915783A | 申请公布日 | 2021-06-08 |
| 分类号 | B01D53/86;B01D53/56;B01D53/44 | 分类 | 一般的物理或化学的方法或装置; |
| 发明人 | 吴忠标;陈思;王海强;冯文骥;高珊;王岳军;张仲飞 | 申请（专利权）人 | 浙江天蓝环保技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高佳逸;胡红娟 |
| 地址 | 310013 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种介质阻挡放电协同N型半导体催化剂深度氧化气态污染物的工艺，包括：将含有气态污染物的污染气体通过装有N型半导体催化剂的介质阻挡低温等离子体反应器，N型半导体催化剂置于介质阻挡低温等离子体反应器的放电区域内，低温等离子体放电产生高能电子和活性自由基，等离子体放电过程产生的多余高能电子与N型半导体催化剂中的电子进行碰撞，形成轨道电子的跃迁，产生“类光催化”行为，继而形成电子和空穴并进一步生成其他强氧化性物种，气态污染物在这些活性物种的共同作用下得到深度氧化，生成无害小分子或更有利于后续处理的高价态化合物。 |
