一种SiP芯片低温EMI真空磁控溅射镀膜设备及方法
基本信息
| 申请号 | CN202110326801.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112877666A | 公开（公告）日 | 2021-06-01 |
| 申请公布号 | CN112877666A | 申请公布日 | 2021-06-01 |
| 分类号 | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/50;C23C14/56 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 张少波;刘江;方铭国 | 申请（专利权）人 | 深圳泰研半导体装备有限公司 |
| 代理机构 | 赣州捷信协利专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 吴余琴 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道塘头社区塘头1号路创维创新谷5#C栋203 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种SiP芯片低温EMI真空磁控溅射镀膜设备及方法，真空前处理室与中真空抽气机组连接，真空镀膜室与中真空抽气机组、高真空抽气机组连接；中真空抽气机组包括通过抽气管和气动阀与真空前处理室腔体连通的真空干式泵组，该真空前处理室内设置远红外加热管、射频轰击板；真空镀膜室设置偏向磁控圆柱旋转靶、高真空抽气机组；深冷机组设置有连通真空前处理室腔体外壁、真空镀膜室腔体外壁的冰水管和引入真空镀膜室的冰水管。本发明立式设置，占地空间小，降低了设备成本及功率消耗，提高了产品品质及生产效率，避免了持续镀膜造成急速温升不降，旋转镀膜使得镀膜更加均匀。 |
