一种在系统级封装实现选择性电磁屏蔽的工艺
基本信息
| 申请号 | CN202010542197.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111755424A | 公开（公告）日 | 2020-10-09 |
| 申请公布号 | CN111755424A | 申请公布日 | 2020-10-09 |
| 分类号 | H01L23/552(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张少波;方铭国;刘江;程勇 | 申请（专利权）人 | 深圳泰研半导体装备有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市神州联合知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王志强 |
| 地址 | 518000广东省深圳市宝安区石岩街道塘头社区塘头1号路创维创新谷5#C栋203 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种系统级封装实现选择性电磁屏蔽的工艺,其包括以下步骤：S1、获取SIP封装体；S2、在SIP封装体上形成半切割道沟槽；S3、通过低温磁控离子溅射，在SIP封装体外表面及半切割道沟槽镀膜以形成金属覆层，以形成共形屏蔽、区域屏蔽；S4、以激光除去SIP封装体外表面待除去的金属覆层，以裸露出未屏蔽区，形成局部屏蔽采用激光和低温磁控离子溅射工艺，可以同时形成共形屏蔽、区域屏蔽以及局部屏蔽；可以提高工艺流程的简洁化程度。另外，能够解决金属屏蔽层内的子系统共振问题，局部屏蔽则是进一步划分屏蔽区及非屏蔽区，如此可以提高SIP封装技术的应用空间。 |
