氧化镓基半导体结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911283509.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111129166A | 公开（公告）日 | 2020-05-08 |
| 申请公布号 | CN111129166A | 申请公布日 | 2020-05-08 |
| 分类号 | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 龙世兵;周选择;徐光伟;熊文豪;赵晓龙;刘明 | 申请（专利权）人 | 合肥中科微电子创新中心有限公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李佳 |
| 地址 | 230000 安徽省合肥市中国（安徽）自由贸易试验区合肥市高新区望江西路5089号中国科学技术大学先进技术研究院未来中心A1205-A1208 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种氧化镓基半导体结构及其制备方法，该氧化镓基半导体结构包括：氧化镓基外延层，具有多个沟道，该多个沟道形成于该氧化镓基外延层上表面且相互间隔第一距离；多个低势垒肖特基电极，形成于所述多个沟道之间的氧化镓基外延层上表面；以及高势垒肖特基电极，形成于所述氧化镓基外延层上表面，且覆盖所述多个沟道及所述多个低势垒肖特基电极。该氧化镓基半导体结构同时结合了高、低势垒的优势，具有较低的开启电压的同时可以维持较小的反向漏电流的优势，能够保证开态电阻不会有明显增大，甚至会有降低的效果，能够使得双势垒肖特基能够有效应的用于高温领域。 |
