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基于氧化镓的PN结结构及其制备方法

基本信息

申请号	CN201911283538.7	申请日	-
公开（公告）号	CN111063742A	公开（公告）日	2020-04-24
申请公布号	CN111063742A	申请公布日	2020-04-24
分类号	H01L29/861;H01L29/267;H01L29/45;H01L21/34	分类	基本电气元件;
发明人	龙世兵;郝伟兵;徐光伟;刘琦;赵晓龙;刘明	申请（专利权）人	合肥中科微电子创新中心有限公司
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	李佳
地址	230000 安徽省合肥市中国（安徽）自由贸易试验区合肥市高新区望江西路5089号中国科学技术大学先进技术研究院未来中心A1205-A1208
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种基于氧化镓的PN结结构，自上而下依次包括：第一电极层、p型层、n型层和衬底层，p型层和n型层相接触形成PN结；第一电极层为氧化物电极，p型层为p型氧化物层，n型层为n型氧化镓基层。本发明公开的PN结结构极大降低了PN结的反向漏电流，提高器件的击穿电压，以提升PN结的性能；同时，采用氧化物电极分别与p型氧化物半导体、N型氧化物半导体形成欧姆接触，进一步降低全氧化物PN结的开启电压和导通电阻。此外，采用全氧化物(电极与半导体材料均是氧化物)的PN结结构能够避免与非氧化物材料在接触界面处的氧化反应，有效降低界面态密度，从而更好地调节界面缺陷问题，提高器件性能的同时可易于实现大规模的工业制造。