基于氧化镓的异质结半导体结构及其器件
基本信息
| 申请号 | CN201911285322.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111129122A | 公开（公告）日 | 2020-05-08 |
| 申请公布号 | CN111129122A | 申请公布日 | 2020-05-08 |
| 分类号 | H01L29/267 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 龙世兵;向学强;丁梦璠;徐光伟;赵晓龙;刘明 | 申请（专利权）人 | 合肥中科微电子创新中心有限公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李佳 |
| 地址 | 230000 安徽省合肥市中国（安徽）自由贸易试验区合肥市高新区望江西路5089号中国科学技术大学先进技术研究院未来中心A1205-A1208 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于氧化镓的异质结半导体结构，结构包括：至少一氧化镓基层，氧化镓基层具备多个接触表面；至少一铜铁矿层，铜铁矿层通过接触表面与氧化镓基层形成异质结结构。通过该结构，本发明实现了禁带宽度的匹配、导带的匹配以及价带的匹配，提高了该结构的电流输运能力；另外，该异质PN结结构还实现了晶体结构的匹配，避免了在该异质PN结的接触面形成大量的位错缺陷，提高了PN结的正向输运性能、采用该结构的器件导通电阻以及器件性能稳定性；最后，铜铁矿材料的制备工艺简单，可以直接采用类似溶胶凝胶法或水热合成法形成，极大地降低了该结构的制备成本和流程，易于实现大规模的工业化生产。 |
