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外延生长装置的调温方法以及外延生长装置

基本信息

申请号	CN202111113173.0	申请日	-
公开（公告）号	CN113846376A	公开（公告）日	2021-12-28
申请公布号	CN113846376A	申请公布日	2021-12-28
分类号	C30B25/16（2006.01）I;C30B25/10（2006.01）I;C30B25/08（2006.01）I;C30B23/06（2006.01）I;C30B23/02（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	汪延成;程佳峰;沈文杰;梅德庆;郑丽霞;周建灿;白天;张秋成;李阳健	申请（专利权）人	浙江求是半导体设备有限公司
代理机构	杭州华进联浙知识产权代理有限公司	代理人	方道杰
地址	312300浙江省绍兴市上虞区通江西路218号
法律状态	-

摘要

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种外延生长装置的调温以及外延生长装置。该调温方法包括以下步骤：在衬底上选定离线测温点，在衬底和/或加热基座上选定实时测温点，离线测温点与实时测温点对应；模拟外延生长装置的工作流程，以在衬底空转的情况下获取离线测温点的温度T1以及实时测温点的温度T2；拟合温度T1和温度T2，得到温度T1和温度T2之间的映射关系函数F；获取外延生长装置正常工作流程下的实时测温点的温度T2’；根据映射关系函数F以及温度T2’，计算获得对应的离线测温点的实时温度T1’；根据实时温度T1’调节外延生长装置的加热功率。本申请的优点在于：能够获得衬底表面精确的实时温度T1’，用以精准及时的反馈调节加热功率。