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外延生长装置

基本信息

申请号 CN202110873786.8 申请日 -
公开（公告）号 CN113652741A 公开（公告）日 2021-11-16
申请公布号 CN113652741A 申请公布日 2021-11-16
分类号 C30B25/10（2006.01）I;C30B25/08（2006.01）I;C23C16/46（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 汪延成;程佳峰;沈文杰;梅德庆;郑丽霞;周建灿;张秋成 申请（专利权）人 浙江求是半导体设备有限公司
代理机构 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 代理人 方道杰
地址 312300 浙江省绍兴市上虞区通江西路218号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及半导体外延生长技术领域，特别是涉及一种外延生长装置，该外延生长装置包括至少一个托盘、加热体和至少一组线圈组件；加热体内具有工作空间，托盘位于工作空间内，线圈组件沿加热体周向围设在加热体外；每组线圈组件具有一基点，每组线圈组件包括多个独立的子线圈，多个子线圈以基点为中心由内向外扩散排布；且两两相邻的两个子线圈中，其中一个子线圈包裹另外一个子线圈。本申请中每个独立的子线圈将托盘上的区域划分为多个独立加热的子区域，每个独立的子线圈对托盘上对应的子区域进行单独加热，从而实现托盘表面温度分区可控；即可调整托盘上对应的子区域的温度，降低各个子区域之间的温度差值，以提高托盘上生长的外延层的质量。