一种背接触式双面电池的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210328416.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114597288A | 公开（公告）日 | 2022-06-07 |
| 申请公布号 | CN114597288A | 申请公布日 | 2022-06-07 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L31/068 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曹建伟 | 申请（专利权）人 | 浙江求是半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 311100 浙江省杭州市临平区临平街道顺达路500号1幢102室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种背接触式双面电池的制备方法，属于硅片电池制备技术领域，所述制备方法包括：Si衬底清洗、制绒；在清洗并制绒后的Si衬底的正反两面生成钝化层；在Si衬底反面的钝化层上生成第一掺杂层；在Si衬底反面的钝化层上生成第二掺杂层；在正面的钝化层外生成减反射层；在反面的第一掺杂层和第二掺杂层上形成电极；达到制备P型背接触式双面电池的技术效果。 |
