一种用于碳化硅外延设备的反应装置
基本信息
| 申请号 | CN202121206115.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215976136U | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN215976136U | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | C30B25/08（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 沈文杰;朱亮;周建灿;杨奎;张秋成;汤承伟;曹建伟 | 申请（专利权）人 | 浙江求是半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人 | 周世骏 |
| 地址 | 312300浙江省绍兴市上虞区通江西路218号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种用于碳化硅外延设备的反应装置，属于外延设备，用于碳化硅外延设备的反应装置包括：腔室，所述腔室内具有一工作腔；盖板，所述盖板位于工作腔内，且所述盖板覆盖在所述工作腔的内腔面上，通过盖板使得工作腔的内腔面被保护；达到减缓沉积物沉积，避免腔室整体提前报废的技术效果。 |
