用于碳化硅外延的加热装置
基本信息
| 申请号 | CN201921147157.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210765582U | 公开（公告）日 | 2020-06-16 |
| 申请公布号 | CN210765582U | 申请公布日 | 2020-06-16 |
| 分类号 | C30B25/10(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 傅林坚;沈文杰;周建灿;邵鹏飞;汤承伟;周航;潘礼钱 | 申请（专利权）人 | 浙江求是半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人 | 周世骏 |
| 地址 | 311100 浙江省杭州市余杭区龙船坞路96号2幢3层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及碳化硅外延生长技术领域，具体是涉及一种用于碳化硅外延的加热装置。包括外延生长反应腔和绕设于外延生长反应腔外的电磁感应线圈；电磁感应线圈包括多个线圈匝，电磁感应线圈的匝间距自线圈端部向线圈中部逐渐递增。本实用新型改进了线圈结构，在保证加热速度的同时，提高了温度场的均匀性，从而改善了碳化硅外延的品质；本实用新型中的线圈呈中空型，内部通入冷却水，石英防护罩内外层间隙中也可以通入冷却水，用于整个电磁感应线圈的冷却，保证了加热线圈在持续高温下的运行可靠性，增强了使用寿命。 |
