一种混合沟道化合物半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN201810631911.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110620143A | 公开（公告）日 | 2019-12-27 |
| 申请公布号 | CN110620143A | 申请公布日 | 2019-12-27 |
| 分类号 | H01L29/10（2006.01）; H01L29/778（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 顶诺微电子（无锡）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100093 北京市海淀区清华大学西南2，2-503 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明专利公开了一种混合沟道化合物半导体器件，其中器件的凹槽状栅电极通过控制垂直和横向两种电子沟道，实现常闭型化合物半导体器件。本器件避免了在功率模块中使用常开型化合物半导体晶体管带来的高压短路风险，能够安全的充分发挥化合物半导体晶体管在功率电子中的高效率、耐高压的优势。 |
