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一种基于VGF法的减少GaAs晶体孪晶的装置

基本信息

申请号 CN201921656034.0 申请日 -
公开（公告）号 CN210711818U 公开（公告）日 2020-06-09
申请公布号 CN210711818U 申请公布日 2020-06-09
分类号 C30B11/00(2006.01)I;C30B29/42(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 柴晓磊;梁李虎;冯江峰 申请（专利权）人 山西中科晶电信息材料有限公司
代理机构 北京志霖恒远知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 山西中科晶电信息材料有限公司
地址 043604山西省运城市绛县开发区陈村（山西冲压厂西50米）
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及半导体制备装置技术领域，更具体而言，涉及一种基于VGF法的减少GaAs晶体孪晶的装置，包括PBN坩埚、石英管、加热器，石英管放置在炉芯上，石英管与炉芯之间设置有保温支撑，炉芯内设置有玻璃棒；PBN坩埚与石英管设置在保温装置内，保温装置为下部开口的中空筒状结构，保温装置内壁镶嵌有加热器，通过多组加热器实现对炉芯及坩埚炉、石英管的热辐射加热，多组加热器独立运作，实现不同部位不同温度的加热；通过底部玻璃棒提供热流失通道；在石英管与坩埚之间设置有保温支撑，阻挡石英支撑管散热，均化温场，避免温场倒置，易生长出合格单晶，孪晶率下降至20%，提高晶体生长效率，提高经济效益。