一种掺杂砷化镓单晶晶体生长工艺
基本信息
| 申请号 | CN202010784202.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111893571A | 公开（公告）日 | 2020-11-06 |
| 申请公布号 | CN111893571A | 申请公布日 | 2020-11-06 |
| 分类号 | C30B29/42;C30B11/06 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 高佑君;柴晓磊;樊海强 | 申请（专利权）人 | 山西中科晶电信息材料有限公司 |
| 代理机构 | 太原荣信德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 杨凯;连慧敏 |
| 地址 | 043604 山西省运城市绛县开发区陈村 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体材料制备技术领域，更具体而言，涉及一种掺杂砷化镓单晶晶体生长工艺，通过在多晶合成、单晶生长两个环节中添加与氧反应活性大的物资吸收了环境中及砷、镓以及石英管在高温过程中释放的氧，避免了氧对进入多晶及单晶。极大减弱了氧污染对材料性能的影响。多晶合成过程中进行Si掺杂，实现硅进入砷化镓并进行有效的占位，没有氧化硼的存在，多晶合成不会导致B对多晶的污染。单晶生长过程中在石英管中放置C、Al或Ti吸收石英管内的氧，控制单晶中的氧含量，不再添加多晶已掺杂的杂质。单晶生长时放入氧化硼提高单晶率的同时，实现对杂质的选择性吸附。达到需要的晶体性能。 |
