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一种掺杂砷化镓单晶晶体生长工艺

基本信息

申请号 CN202010784202.5 申请日 -
公开（公告）号 CN111893571B 公开（公告）日 2021-04-30
申请公布号 CN111893571B 申请公布日 2021-04-30
分类号 C30B29/42;C30B11/06 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 高佑君;柴晓磊;樊海强 申请（专利权）人 山西中科晶电信息材料有限公司
代理机构 太原荣信德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 杨凯;连慧敏
地址 043604 山西省运城市绛县开发区陈村
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及半导体材料制备技术领域，更具体而言，涉及一种掺杂砷化镓单晶晶体生长工艺，通过在多晶合成、单晶生长两个环节中添加与氧反应活性大的物资吸收了环境中及砷、镓以及石英管在高温过程中释放的氧，避免了氧对进入多晶及单晶。极大减弱了氧污染对材料性能的影响。多晶合成过程中进行Si掺杂，实现硅进入砷化镓并进行有效的占位，没有氧化硼的存在，多晶合成不会导致B对多晶的污染。单晶生长过程中在石英管中放置C、Al或Ti吸收石英管内的氧，控制单晶中的氧含量，不再添加多晶已掺杂的杂质。单晶生长时放入氧化硼提高单晶率的同时，实现对杂质的选择性吸附。达到需要的晶体性能。