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大质量晶体生长的局部温度梯度的控制方法及装置

基本信息

申请号 CN202010724074.5 申请日 -
公开（公告）号 CN111826719A 公开（公告）日 2020-10-27
申请公布号 CN111826719A 申请公布日 2020-10-27
分类号 C30B29/42(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 高佑君;柴晓磊;樊海强 申请（专利权）人 山西中科晶电信息材料有限公司
代理机构 北京中索知识产权代理有限公司 代理人 山西中科晶电信息材料有限公司
地址 043604山西省运城市绛县开发区陈村（山西冲压厂西50米）
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种大质量晶体生长的局部温度梯度的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一:安装晶体生长炉,进行升温化料、调温、熔种处理；步骤二:将步骤一中熔种后的晶体生长炉的各温区进行调整温度，逐步降低肩部温度，完成晶体的放肩过程；步骤三:将晶体生长炉的支撑管及石英管保持不动，晶体生长炉的传动装置上移带动炉体移动，使晶体生长界面上移，实现晶体的生长；步骤四：炉体移动同时逐渐下降晶体生长炉的炉芯，使晶体生长炉的炉芯与支撑管相对移动；或调整散热通道内流体材料、流体速度，改变通过散热通道带走的热量，控制温度梯度。通过生长过程中对保温材料及相对位置的调整实现晶体生长过程中温度梯度的针对性调整。