一种大尺寸晶体生长单晶炉
基本信息
申请号 | CN201921656061.8 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN210711819U | 公开(公告)日 | 2020-06-09 |
申请公布号 | CN210711819U | 申请公布日 | 2020-06-09 |
分类号 | C30B11/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
发明人 | 高佑君;柴晓磊;樊海强 | 申请(专利权)人 | 山西中科晶电信息材料有限公司 |
代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 山西中科晶电信息材料有限公司 |
地址 | 043604山西省运城市绛县开发区陈村(山西冲压厂西50米) | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型涉及半导体制备装置领域,更具体而言,涉及一种大尺寸晶体生长单晶炉,包括PBN坩埚、石英管、加热器,其中加热器包括底部加热器和侧壁加热器;通过坩埚底部玻璃棒提供热流失通道;通过多组加热器实现对炉芯及坩埚炉、石英管的热辐射加热,多组加热器独立运作,实现不同部位不同温度的加热;通过底部加热器温度调整,控制晶体的引晶及放肩过程。晶体生长引晶阶段通过对螺旋加热器的功率微调整达到控制PBN坩埚内锥形温度梯度的控制,进行引晶并实现晶体放肩。放肩完成后,长体阶段通降低圆锥外围加热器的功率的大幅调整,增大晶体头部的温度梯度,进而实现对热散失途径的控制,实现微凸的晶体生长液面,达到长大直径长尺寸晶体的目的。 |
