射频地和模拟地之间具有静电释放防护功能的电路及封装结构
基本信息
| 申请号 | CN201611255058.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106601733B | 公开（公告）日 | 2018-10-09 |
| 申请公布号 | CN106601733B | 申请公布日 | 2018-10-09 |
| 分类号 | H01L27/02;H01L23/60 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 谢婷婷;倪文海;管剑铃;王勇;徐文华 | 申请（专利权）人 | 杭州迦美信芯通讯技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 朱成之;潘朱慧 |
| 地址 | 310018 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道6号大街452号2幢D2012-D2017号房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种射频地和模拟地之间具有静电释放防护功能的电路及封装结构，该电路包含：第一二极管、第二二极管和焊盘；第一二极管负极和第二二极管正极连接于模拟地，且第一二极管正极和第二二极管负极连接于焊盘；焊盘还连接于射频地。本发明射频地和模拟地之间具有静电释放防护功能的电路及封装结构，不需要在封装基板上进行连线来实现不改变ESD保护电路本身寄生参数、不改变射频电路匹配特性、保持射频地和模拟地之间有效隔离、不牺牲ESD保护电路抗静电能力，简化了射频混合系统的ESD保护电路设计。 |
