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SiC材料外延生长设备

基本信息

申请号	CN202022618985.8	申请日	-
公开（公告）号	CN213835528U	公开（公告）日	2021-07-30
申请公布号	CN213835528U	申请公布日	2021-07-30
分类号	C23C16/32（2006.01）I;C23C16/54（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	张森;费磊	申请（专利权）人	宁波沁圆科技有限公司
代理机构	北京金咨知识产权代理有限公司	代理人	宋教花
地址	315400浙江省宁波市余姚市三七市镇云山中路28号
法律状态	-

摘要

本实用新型提供一种SiC材料外延生长设备，所述设备包括至少两个反应腔，各反应腔用于进行SiC材料的外延生长；托盘装卸腔，用于放置托盘，其内设有托盘支架；晶圆装卸腔，其内设有用于存放未外延生长的SiC衬底或外延生长之后的SiC晶圆的框架盒；传送腔与托盘装卸腔、晶圆装卸腔以及各反应腔之间均具有第一隔离阀，传送腔内设有传送组件，传送组件用于在托盘装卸腔与各反应腔之间传送托盘，及将未外延生长的SiC衬底从晶圆装卸腔传送至反应腔，及用于将外延生长之后的SiC晶圆从反应腔传送至晶圆装卸腔。该SiC材料外延生长设备的至少两个反应腔通过共用传送腔、托盘装卸腔、晶圆装卸腔和传送组件，降低了SiC外延生长的成本，从而提高了SiC器件的制备效率。