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抗PID效应的组件及抗PID效应的晶体硅光伏组件

基本信息

申请号 CN202120352613.7 申请日 -
公开（公告）号 CN214797430U 公开（公告）日 2021-11-19
申请公布号 CN214797430U 申请公布日 2021-11-19
分类号 H01L31/048（2014.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 王杏娟;凌根略;王敏;陶武刚;徐兴军 申请（专利权）人 湖南旗滨光能科技有限公司
代理机构 深圳中一联合知识产权代理有限公司 代理人 张杨梅
地址 423000湖南省郴州市资兴市唐洞街道资五产业园江高路9号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及光伏技术领域，提供了抗PID效应的组件及抗PID效应的晶体硅光伏组件，其中，所述抗PID效应的组件包括玻璃基体，设置在所述玻璃基体任一面的氧化锡层。基于锡离子的离子半径均比钠离子、钙离子小，离子势能更强，与氧原子的结合能力更强，有明显的聚集作用，能够增强玻璃网络结构，使玻璃网络结构更加致密，进而限制钠离子、钙离子的迁移，使玻璃表面不形成含钠离子、钙离子的碳酸盐，保护玻璃不会发生严重的侵蚀，能明显提高玻璃表面以及玻璃镀膜的耐候性，有效的减小玻璃上表面的PID衰减效应的产生；同时，氧化锡层对整体玻璃的透光率影响较小，进而保证得到的组件抗PID效应较强且整体性能优异，应用广泛。