偏硅酸高温加压脱水的工艺
基本信息
申请号 | CN201010039104.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN101792146A | 公开(公告)日 | 2010-08-04 |
申请公布号 | CN101792146A | 申请公布日 | 2010-08-04 |
分类号 | C01B33/12(2006.01)I | 分类 | 无机化学; |
发明人 | 杨大锦;臧健;赵群;李怀仁;和晓才;李永刚;李永佳;李小英 | 申请(专利权)人 | 云南冶金集团股份有限公司技术中心 |
代理机构 | 昆明正原专利代理有限责任公司 | 代理人 | 云南冶金集团股份有限公司技术中心 |
地址 | 650051 云南省昆明市五华区圆通北路86号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种偏硅酸高温加压脱水的工艺,采用工业用偏硅酸钠溶液经高温加压沉淀,脱除大量结晶水,获得的偏硅酸经酸洗除杂,高纯水洗涤脱酸而获得结晶水含量低,杂质Al,Ti、Fe被有效除去的高纯偏硅酸,克服了现有工业偏硅酸脱水、提纯方法的不足,本发明提出的工艺流程短,容易实现工业化生产,同时脱杂过程中产出的沉淀后液、酸洗后液经合并中和后蒸发结晶回收氯化钠,工艺过程形成封闭循环体系,对环境不构成污染,降低了生产成本。 |
