一种提高Au-Al键合强度和可靠性的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110555962.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113299571A | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN113299571A | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L21/60（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;C23C14/16（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张新宇 | 申请（专利权）人 | 无锡兴华衡辉科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市汇诚永信专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹慧萍 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市新吴区长江南路35-322号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件封装技术领域，具体涉及一种提高Au‑Al键合强度和可靠性的方法。本发明通过在Al表面使用离子溅射的方法依次沉积一层Zn和一层Cu，使得键合过程中Au和Al之间形成一层Cu‑Al‑Zn三元化合物薄层，阻止金与铝之间的直接接触和相互扩散，同时Cu‑Al‑Zn三元化合物薄层能够继续阻碍在电流作用下Au和Al之间的相互扩散，从而抑制键合连接部位的金属间化合物的生长，提高Au‑Al键合的强度和可靠性，能够有效解决传统半导体器件Au‑Al键合方法中存在的无法有效抑制金属间化合物生长，导致Au‑Al键合强度和键合可靠性较差，进而影响半导体器件的功能和寿命的问题。 |
