垂直型JFET器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111071595.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113517197A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113517197A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01L21/337（2006.01）I;H01L29/808（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许剑;崔凤敏 | 申请（专利权）人 | 上海南麟电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 卢炳琼 |
| 地址 | 200120上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区碧波路500号307室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种垂直型JFET器件及其制备方法，形成了贯穿第一导电类型体区、第二导电类型体区，且与第一导电类型外延层相接触的第一导电类型沟道区，从而通过第一导电类型沟道区，可精确的优化垂直型JFET器件的沟道区宽度，以在缩小垂直型JFET器件面积的同时，可以调整垂直型JFET器件的夹断电压，以进一步提高器件的集成度和设计的灵活性。 |
