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带ESD的功率器件结构及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110965206.8	申请日	-
公开（公告）号	CN113421829A	公开（公告）日	2021-09-21
申请公布号	CN113421829A	申请公布日	2021-09-21
分类号	H01L21/336（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	许剑;吴春达;蒋小强;霍晓强	申请（专利权）人	上海南麟电子股份有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	卢炳琼
地址	200120上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区碧波路500号307室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种带ESD的功率器件结构及其制备方法。器件包括N型衬底、N型外延层，第一沟槽、第二沟槽、P型体区、P型有源区、N型有源区、介质层及金属电极，第一沟槽和第二沟槽在N型外延层内间隔分布，第一沟槽内包括栅氧化层和多晶硅ESD，且多晶硅ESD内形成有P型掺杂区；第二沟槽内包括栅氧化层和多晶硅栅极；P型体区位于各沟槽之间的N型外延层内；介质层覆盖第一沟槽、第二沟槽及P型体区；孔引出区位于介质层内，且与多晶硅ESD的P型掺杂区、P型有源区，第一沟槽及第二沟槽之间的P型体区内的N型有源区电接触；金属电极位于介质层上。本发明可以有效减小ESD结构的面积，有利于工艺平坦化和降低器件制备成本，有助于改善ESD漏电性能。