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NMOS功率管驱动电路

基本信息

申请号 CN202110108118.6 申请日 -
公开（公告）号 CN112436720B 公开（公告）日 2021-04-09
申请公布号 CN112436720B 申请公布日 2021-04-09
分类号 H02M1/08(2006.01)I;H03K17/041(2006.01)I 分类 发电、变电或配电;
发明人 夏虎;刘桂芝;吴春达 申请（专利权）人 上海南麟电子股份有限公司
代理机构 上海光华专利事务所（普通合伙） 代理人 余明伟
地址 200120上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区碧波路500号307室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种NMOS功率管驱动电路，用于连接并控制NMOS功率管的工作状态，其特征在于，包括：栅极连接脉冲宽度调制信号的输入端PMOS管和输入端NMOS管，以及连接输入端PMOS管和输入端NMOS管的第一二极管、开关NMOS管、第一电容、第一电阻、第一三极管和第二电阻。本发明通过减少NMOS功率管的栅电压的下降过程中T1A‑T1阶段、T2‑T3阶段和T3‑T4阶段持续时间，而不减少T1‑T2阶段持续时间，不但有效减少了NMOS功率管的栅电压下降时间，与现有驱动电路相比，也不会带来功率管漏极电压过冲变大和电磁干扰变大的问题。