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一种降低侧壁缺陷复合的Micro-LED芯片结构及制备方法

基本信息

申请号 2020112564250 申请日 -
公开（公告）号 CN112259652A 公开（公告）日 2021-01-22
申请公布号 CN112259652A 申请公布日 2021-01-22
分类号 H01L33/06(2010.01)I; 分类 基本电气元件;
发明人 寇建权 申请（专利权）人 天津赛米卡尔科技有限公司
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 代理人 王丽
地址 300385天津市西青区经济技术开发区赛达新兴产业园C座7层707室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种降低侧壁缺陷复合Micro‑LED芯片结构及制备方法，在传统Micro‑LED芯片结构基础之上，该芯片结构的P型半导体材料层、P型重掺杂半导体材料层和N型材料传输层之间结构改变；P型重掺杂半导体材料层仅位于P型半导体材料层上方中间区域，N型材料传输层完全覆盖P型半导体材料层和P型重掺杂半导体材料层，其中N型材料传输层与部分P型半导体材料层直接接触；本发明提出的器件结构利用N型材料传输层与P型半导体材料层在接触界面处形成的反偏结，耗尽P型半导体材料层中的空穴，从而减小芯片侧壁区域的非辐射复合效应，同时还能够提高注入电流的横向限制作用，以此来减小显示像素点之间的光学串扰效应。